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AON6426

DFN 5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION

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AOSMD

万国半导体

AON6426

低压MOSFET (12V - 30V)

30V N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AON6426L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AON6426L combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. - RoHS Compliant - Halogen Free Features VDS (V) = 30V ID = 24A (VGS =

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AOSMD

万国半导体

AON6426L

DFN 5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION

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AOSMD

万国半导体

技术参数

  • Package:

    DFN5x6-8L

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    30

  • 10V:

    5.50

  • 4.5V:

    7.50

  • VGS (±V):

    20

  • ID @ 25°C (A):

    65

  • PD @ 25°C (W):

    42

  • Qg (4.5V)(nC):

    18

  • Qg (10V)(nC):

    37

  • VGS(th) max (V):

    2.50

  • Ciss (pF):

    1930

  • Coss (pF):

    290

  • Crss (pF):

    230

  • Qgd (nC):

    11

  • tD(on) (ns):

    8.10

  • tD(off) (ns):

    29

  • Trr (ns):

    14

  • Qrr (nC):

    40

  • ESD Diode:

    No

  • Tj max (°C):

    150

  • Qualification:

    Industrial

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AON6426供应商 更新时间2025-10-10 9:13:00