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IRF5802PBF	文件：140.72 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •Lead-Free •Halogen-Free Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF5802TRPBF	文件：2.01184 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF5802TRPBF	文件：210.67 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •Lead-Free •Halogen-Free Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF5802TRPBF-TP	文件：2.35267 Mbytes Page：6 Pages	150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Application ©Notebook ©LoadSwitch ©Networking ©Hand-heldInstruments	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
KSC5802	文件：85.23 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageColorDisplayHorizontalDeflectionOutput(NoDamperDiode) HighVoltageColorDisplayHorizontalDeflectionOutput •HighBreakdownVoltage:BVCBO=1500V •HighSpeedSwitching:tF=0.1µs(Typ.) •WideS.O.A •ForC-Monitor(69KHz)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC5802D	文件：84.81 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageColorDisplayHorizontalDeflectionOutput(BuiltInDamperDiode)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MA5802	文件：144.08 Kbytes Page：2 Pages	58VAsynchronousBuckConverter GENERALDESCRIPTION TheMA5802isamonolithicasynchronousbuckregulator.Thedeviceintegrates110mΩ MOSFET,andprovides2Aofcontinuousloadcurrentoverawideinputvoltageof10Vto58V. Currentmodecontrolprovidesfasttransientresponseandcycle-bicyclecurrentlimit. Theinterna	MPOWERMajor-Power Technology Co., LTD. 久昌科技久昌科技股份有限公司	MPOWER
MA5802ESA	文件：144.08 Kbytes Page：2 Pages	58VAsynchronousBuckConverter GENERALDESCRIPTION TheMA5802isamonolithicasynchronousbuckregulator.Thedeviceintegrates110mΩ MOSFET,andprovides2Aofcontinuousloadcurrentoverawideinputvoltageof10Vto58V. Currentmodecontrolprovidesfasttransientresponseandcycle-bicyclecurrentlimit. Theinterna	MPOWERMajor-Power Technology Co., LTD. 久昌科技久昌科技股份有限公司	MPOWER
MAX5802	文件：4.68354 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Dual-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5800/MAX5801/MAX58022-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5800/MAX5801/MAX5802acceptawidesupplyvoltageran	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MCH5802	文件：48.18 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithaP-ChannelSilliconMOSFET(MCH3308)andaSchottkyBarrierDiode(SBS006M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. [MOSFET] •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedsw	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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详细参数

型号：
AON5802A
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 30V 7.2A 6-DFN
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	AON5802A	AOS/万代	2019+	DFN	18000	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市泓利达微科技有限公司	AON5802A	AOS/万代	24+	DFN2x5	333888	AOS原装正品专业直销	询价
深圳市一线半导体有限公司	AON5802A	Alpha&Omega	24+	6-DFN	7500		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	AON5802A	AOS	23+	DFN2X5	5000	原装正品,假一罚十	询价
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