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AON5802分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF中文资料

AON5802
厂商型号

AON5802

参数属性

AON5802 封装/外壳为6-WFDFN 裸露焊盘;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET N-CH DUAL DFN

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

封装外壳

6-WFDFN 裸露焊盘

文件大小

3.28545 Mbytes

页面数量

4

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-20 23:21:00

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AON5802规格书详情

General Description

The AON5802 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Standard Product AON5802 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

Features

VDS (V) = 30V

ID = 7.2A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 20 mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 22 mΩ (VGS = 4.0V)

RDS(ON) < 24 mΩ (VGS = 3.1V)

RDS(ON) < 30 mΩ (VGS = 2.5V)

ESD Protected

产品属性

  • 产品编号:

    AON5802B_101

  • 制造商:

    Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

  • 包装:

    散装

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-WFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    6-DFN-EP(2x5)

  • 描述:

    MOSFET N-CH DUAL DFN

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