AON5802分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
AON5802 |
| 参数属性 | AON5802 封装/外壳为6-WFDFN 裸露焊盘；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：MOSFET N-CH DUAL DFN |
| 功能描述 | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 封装外壳 | 6-WFDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
3.28545 Mbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | AOSMD |
| 中文名称 | 万国半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-13 23:00:00 |
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AON5802规格书详情
General Description
The AON5802 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Standard Product AON5802 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
特性 Features
VDS (V) = 30V
ID = 7.2A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 20 mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 22 mΩ (VGS = 4.0V)
RDS(ON) < 24 mΩ (VGS = 3.1V)
RDS(ON) < 30 mΩ (VGS = 2.5V)
ESD Protected
产品属性
- 产品编号：
AON5802B_101
- 制造商：
Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 包装：
散装
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-WFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
6-DFN-EP（2x5）
- 描述：
MOSFET N-CH DUAL DFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ALPHA |
24+ |
NA/ |
117 |
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询价 | ||
AOS |
24+ |
DFN6EP(2x5) |
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AOS |
2016+ |
TDFN |
6000 |
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ALPHA |
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QFN2X5 |
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AOS/万代 |
22+ |
DFN2X5-Cu |
100000 |
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ALPHA |
2025+ |
TDFN |
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全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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ALPHA |
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DFN-8 |
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三年内 |
1983 |
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ALPHA |
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QFN2X5 |
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ALPHA |
23+ |
TDFN |
50000 |
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