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HV2803	文件：1.0148 Mbytes Page：32 Pages	NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch Features •32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch •NoHigh-VoltageSuppliesRequired •32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching •3.3VCMOSInputLogicLevel •66MHzDataShiftClockFrequency •Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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IRLML2803	文件：81.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803	文件：191.69 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.25ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803	文件：449.62 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnologyUltraLowOn-Resistance Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRLML2803	文件：377.58 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRLML2803GPBF	文件：247.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803GTRPBF	文件：1.07155 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

技术参数

Package：
DFN2x2-6L
Configuration：
Dual
Polarity：
P
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
8
4.5V：
70
2.5V：
90
1.8V：
115
ID @ 25°C (A)：
-3.80
PD @ 25°C (W)：
1.50
Qg (4.5V)(nC)：
8.50
VGS(th) max (V)：
-1
Ciss (pF)：
560
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
70
Qgd (nC)：
2.10
tD(on) (ns)：
7.20
tD(off) (ns)：
53
Trr (ns)：
37
Qrr (nC)：
27
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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