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AOI414	文件：330.81 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 35mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：330.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI414	文件：994.11 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：994.11 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOI4140	文件：331.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 35mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：331.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI4142	文件：330.8 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 35mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：330.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI4144	文件：330.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 35mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：330.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI4146	文件：363.94 Kbytes Page：7 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AOD4146/AOI4146 is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent R DS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technology is well suited for PWM, load switching and general pur 文件：363.94 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOI4140	文件：994.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：994.12 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOI4142	文件：994.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：994.12 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOI4144	文件：994.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：994.12 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOI4146	文件：994.13 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：994.13 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Status：
Obsolete
Recommended Replacement：
AOI516
Package：
TO251A
Configuration：
Single - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
20
Id(A)(25℃)：
55
Id(A)(75℃)：
43
Pd(W)(25℃)：
62
Pd(W)(75℃)：
32
Rds (on) mΩ max(10V)：
5.6
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
9.5
Qg (nC)：
16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOI414供应商更新时间2026-1-21 14:02:00

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