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AOD8B65MQ1E	文件：300 bytes Page：1 Pages	AlphaIGBT™ AlphaIGBT™ line of products offers industry-leading fast turn-off and low VCE(SAT) performance, allowing for a larger safety design margin. Designed with controllable turn-on di/dt features, AlphaIGBT devices enable lower EMI design effectively. Our IGBTs are ideal for major home appliance, industri	AOS 美国万代	AOS
AOTF8B65MQ1	文件：660.91 Kbytes Page：8 Pages	650V, 8A AlphaIGBTTM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description • Latest AlphaIGBT (αIGBT) technology• 650V breakdown voltage• Very fast and soft recovery freewheeling diode• Low VCE(sat) and Vf• Low turn-off switching loss and softness• High effective turn-on di/dt• Low Qrr• Very good EMI behavior• High short-circuit ruggedness Applica 文件：660.91 Kbytes 页数：8 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD8B65MQ1	文件：567.44 Kbytes Page：9 Pages	650V, 8A AlphaIGBTTM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description • Latest AlphaIGBT (αIGBT) technology• 650V breakdown voltage• IGBT copacked with very fast and soft antiparallel• diode• Very good EMI performance with lower turn-on• switching losses• High short-circuit ruggedness Applications • Motor drives• Home appliance applications• 文件：567.44 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK033V120X2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	AOS/万代上传：深圳市万佳诚业科技有限公司	AOS/万代
AOK042A60FD	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	AOS/万代上传：深圳市万佳诚业科技有限公司	AOS/万代

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
IGBT with Anti-Parallel Diode
Qg (nC)：
11.80
Qrr (nC)：
130
VF (V)：
1.81
VCE max (V)：
650
VCE(SAT) typ (V)：
2.28
Ic max @ 25C (A)：
16
Ic max @ 100C (A)：
8
EON (mJ)：
0.14
EOFF (mJ)：
0.09
IRM (A)：
2.61

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