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AOD8B65MQ1	文件：567.44 Kbytes Page：9 Pages	650V, 8A AlphaIGBTTM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description • Latest AlphaIGBT (αIGBT) technology• 650V breakdown voltage• IGBT copacked with very fast and soft antiparallel• diode• Very good EMI performance with lower turn-on• switching losses• High short-circuit ruggedness Applications • Motor drives• Home appliance applications• 文件：567.44 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD8B65MQ1	文件：300 bytes Page：1 Pages	AlphaIGBT™ AlphaIGBT 提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能，从而实现更大的安全设计空间。可控的接通di/dt可有效降低EMI设计，适用于大多数家用电器、工业和汽车应用。\n\n• 更低的导通损耗\n• 更低的开关损耗\n• 更低的EMI性能\n• 更高的坚固性\n\n	AOS 美国万代	AOS
AOTF8B65MQ1	文件：660.91 Kbytes Page：8 Pages	650V, 8A AlphaIGBTTM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description • Latest AlphaIGBT (αIGBT) technology• 650V breakdown voltage• Very fast and soft recovery freewheeling diode• Low VCE(sat) and Vf• Low turn-off switching loss and softness• High effective turn-on di/dt• Low Qrr• Very good EMI behavior• High short-circuit ruggedness Applica 文件：660.91 Kbytes 页数：8 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK033V120X2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	AOS/万代上传：深圳市万佳诚业科技有限公司	AOS/万代
AOK042A60FD	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	AOS/万代上传：深圳市万佳诚业科技有限公司	AOS/万代

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
IGBT with Anti-Parallel Diode
Qg (nC)：
22
Qrr (nC)：
200
VF (V)：
1.52
VCE max (V)：
650
VCE(SAT) typ (V)：
1.80
Ic max @ 25C (A)：
16
Ic max @ 100C (A)：
8
EON (mJ)：
0.16
EOFF (mJ)：
0.11
IRM (A)：
3.49

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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