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AOD4T60	文件：1.56142 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
AOD4T60	文件：85.45 Kbytes Page：1 Pages	TO252(DPAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD4T60P	文件：318.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD4T60L	文件：85.45 Kbytes Page：1 Pages	TO252(DPAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD4T60P	文件：494.19 Kbytes Page：6 Pages	600V,4A N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOI4T60	文件：74.72 Kbytes Page：1 Pages	TO251APACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOI4T60	文件：318.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOI4T60L	文件：74.72 Kbytes Page：1 Pages	TO251APACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOI4T60P	文件：494.19 Kbytes Page：6 Pages	600V,4AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOI4T60P	文件：318.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOTF4T60P	文件：441.03 Kbytes Page：6 Pages	RoHSandHalogenFreeCompliant	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOTF4T60P	文件：288.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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