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AOD422	文件：428.05 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel MOSFET General Description The AOD422 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. AOD422L (Green Product) is offered in a 文件：428.05 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD422	文件：139.19 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：139.19 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AOD422	文件：309.64 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD422	文件：1.01518 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01518 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD422	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AOD422L	文件：139.19 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：139.19 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Status：
Obsolete
Package：
TO252
Configuration：
Single - N
Vds/V：
20
Vgs/V：
8
Id(A)(25℃)：
10
Id(A)(75℃)：
8
Pd(W)(25℃)：
50
Pd(W)(75℃)：
20
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
22
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
26
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
34
Qg (nC)：
16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	AOD422	AOS/万代	25+	TO-252	32201	AOS/万代全新特价AOD422即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多AOD422供应商更新时间2025-12-15 20:18:00

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