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AOB20C60	文件：79.68 Kbytes Page：3 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：79.68 Kbytes 页数：3 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB20C60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AOB20C60P	文件：332.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.26Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·motor drive, 文件：332.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB20C60P	文件：452.75 Kbytes Page：6 Pages	600V,20A N-Channel MOSFET 文件：452.75 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB20C60PL	文件：452.75 Kbytes Page：6 Pages	600V,20A N-Channel MOSFET 文件：452.75 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB20C60PL	文件：452.74 Kbytes Page：6 Pages	High Current Capability 文件：452.74 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB20C60PL	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Status：
Not For New Designs
Recommended Replacement：
AOB20C60P by Sept. 2014
Package：
TO263
Configuration：
Single - N
Vds/V：
600
Vgs/V：
30
Id(A)(25℃)：
20
Id(A)(75℃)：
11
Pd(W)(25℃)：
463
Rds (on) mΩ max(10V)：
250
Qg (nC)：
52

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	AOB20C60	AOS万代	20+	TO-263	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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更多AOB20C60供应商更新时间2026-1-17 9:04:00

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