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AO9926B	文件：981.73 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：981.73 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO9926B	文件：122.22 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO9926B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch. Standard Product 文件：122.22 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO9926B	文件：252.37 Kbytes Page：5 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET 文件：252.37 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO9926BL	文件：122.22 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO9926B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch. Standard Product 文件：122.22 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO9926B_11	文件：252.37 Kbytes Page：5 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET 文件：252.37 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO9926B	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N+N MOSFET	JGSEMI 金锆半导体	JGSEMI
AO9926B	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET	JSMICRO 杰盛微	JSMICRO
AO9926B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel MOSFET	XW 芯微半导体	XW

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Common Drain
Polarity：
N
VDS (V)：
20
10V：
23
4.5V：
26
2.5V：
34
1.8V：
52
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
7.60
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
6
Qg (10V)(nC)：
12.50
VGS(th) max (V)：
1.10
Ciss (pF)：
525
Coss (pF)：
95
Crss (pF)：
75
Qgd (nC)：
2
tD(on) (ns)：
3
tD(off) (ns)：
20
Trr (ns)：
14
Qrr (nC)：
6
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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