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AO9926B	文件：122.22 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO9926BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch.StandardProduct	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO9926B	文件：981.73 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO9926B	文件：252.37 Kbytes Page：5 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO9926BL	文件：122.22 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO9926BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch.StandardProduct	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO9926B_11	文件：252.37 Kbytes Page：5 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO9926C	文件：981.74 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO9926C	文件：1.15115 Mbytes Page：5 Pages	20VDualN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO9926CusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasaunidirectionalorbi-directionalloadswitch. ProductSummary	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO9926E	文件：249.16 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO9926EusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.StandardProductAO9926EisPb-free(meetsR	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO9926EL	文件：249.16 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO9926EusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.StandardProductAO9926EisPb-free(meetsR	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP9926	文件：371.77 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI

详细参数

型号：
AO9926B
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 20V 7.6A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多AO9926B供应商更新时间2025-7-24 10:02:00

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