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AO9926B规格书详情
General Description
The AO9926B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch. Standard Product AO9926B is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO9926BL is a Green Product ordering option. AO9926B and AO9926BL are electrically identical.
Features
VDS (V) = 20V
ID = 7.6 A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 23mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) < 26mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 34mΩ (VGS = 2.5V)
RDS(ON)
产品属性
- 型号:
AO9926B
- 功能描述:
MOSFET DUAL N-CH 20V 7.6A 8-SOIC
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
-
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
2022+ |
原厂封装 |
25000 |
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ALPHA |
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AOS |
23+ |
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AOS(万代) |
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AOS/万代 |
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AOS/万代全系列在售 |
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AOS/万代 |
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SOIC-8L |
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AOS |
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SOIC-8 |
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AOS/万代 |
标准封装 |
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AOS |
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