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厂商型号

AO7403

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

116.01 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 22:58:00

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AO7403规格书详情

General Description

The AO7403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge, and operation with gate voltages as low as 1.8V, in the small SOT323 footprint. It can be used for a wide variety of applications, including load switching, low current inverters and low current DC-DC converters. It is ESD protected to 2KV HBM. Standard Product AO7403 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO7403L is a Green Product ordering option. AO7403 and AO7403L are electrically identical.

特性 Features

VDS (V) = -20V

ID = -0.7A (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 470mΩ (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 625mΩ (VGS = -2.5V)

RDS(ON)

产品属性

  • 型号:

    AO7403

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 20V 0.7A SC70

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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