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厂商型号

AO6804

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

143.09 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 22:58:00

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AO6804规格书详情

General Description

The AO6804 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO6804 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

特性 Features

VDS = 20V

ID = 5.0A (VGS = 4.5V)

Typical Rds

RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 26mΩ (VGS = 4.0V)

RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 3.1V)

RDS(ON)

产品属性

  • 型号:

    AO6804

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-CH 20V 4A 6TSOP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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