AO6402A中文资料万国半导体数据手册PDF规格书
AO6402A规格书详情
General Description
The AO6402A/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source inductance.
AO6402A and AO6402AL are electrically identical.
-RoHS Compliant
-AO6402AL is Halogen Free
Features
VDS (V) = 30V
ID = 7A (V GS = 10V)
RDS(ON) < 27mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON)
产品属性
- 型号:
AO6402A
- 功能描述:
MOSFET N-CH 30V 7A 6-TSOP
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/ 万代 |
24+ |
NA/ |
28610 |
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AOS |
24+ |
SOT23-6 |
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AOS |
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SOT163 |
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AOS(万代) |
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AOS |
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SOT23-6 |
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AOS |
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TSOP6 |
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