AO6402A中文资料万国半导体数据手册PDF规格书
AO6402A规格书详情
General Description
The AO6402A/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source inductance.
AO6402A and AO6402AL are electrically identical.
-RoHS Compliant
-AO6402AL is Halogen Free
特性 Features
VDS (V) = 30V
ID = 7A (V GS = 10V)
RDS(ON) < 27mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON)
产品属性
- 型号：
AO6402A
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 7A 6-TSOP
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
24+ |
SOT23-6 |
8500 |
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询价 | ||
ALPHA |
2025+ |
SOT23-6 |
5185 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
AOS |
23+ |
SOT23-6 |
20000 |
询价 | |||
AOS |
24+ |
SOT23-6 |
22048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
AOS/ 万代 |
24+ |
NA/ |
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AOS |
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TSOP-6-1.5mm |
3000 |
询价 | |||
AOS/万代 |
2223+ |
26800 |
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询价 | |||
AOS/万代 |
2023+ |
SOT23-6 |
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AO |
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TSOP-6 |
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询价 | ||
AOS/万代 |
24+ |
TSOP-6 |
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