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AO6402A-HF

N-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 7.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

文件:1.93437 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

AO6402B

30V N-Channel MOSFET

30V N-Channel MOSFET General Description The AO6402 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device may be used as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS 30V ID(at VGS =

文件:273.98 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AO6402A

丝印:42**;Package:SOT-26;30V N-Channel MOSFET

文件:224.21 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AO6402A_12

30V N-Channel MOSFET

文件:224.21 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AO6402-HF

N-Channel MOSFET

文件:1.82291 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

AO6402L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:113.05 Kbytes 页数:4 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

技术参数

  • Package:

    TSOP-6L

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    30

  • 10V:

    31

  • 4.5V:

    43

  • VGS (±V):

    20

  • ID @ 25°C (A):

    5

  • PD @ 25°C (W):

    1.25

  • Qg (4.5V)(nC):

    2.55

  • VGS(th) max (V):

    2.40

  • Ciss (pF):

    255

  • Coss (pF):

    45

  • Crss (pF):

    35

  • Qgd (nC):

    1.30

  • tD(on) (ns):

    4.50

  • tD(off) (ns):

    14.50

  • Trr (ns):

    8.50

  • Qrr (nC):

    2.20

  • ESD Diode:

    No

  • Tj max (°C):

    150

  • Qualification:

    Industrial

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AO6402供应商 更新时间2025-10-5 10:02:00