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AO4818L	文件：204.73 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4818 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4818 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4818L is a Green Product order 文件：204.73 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4818_11	文件：212.96 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual N-channel MOSFET 文件：212.96 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4818B	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 30V Dual N-channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
19
4.5V：
23
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
8
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
7.50
Qg (10V)(nC)：
15
VGS(th) max (V)：
2.40
Ciss (pF)：
740
Coss (pF)：
110
Crss (pF)：
82
Qgd (nC)：
3
tD(on) (ns)：
5
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
8
Qrr (nC)：
18
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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