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AO4803L	文件：139.12 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4803 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4803 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4803L is a Green Product orde 文件：139.12 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4803_11	文件：614.71 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET 文件：614.71 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4803A	文件：614.42 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET 文件：614.42 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4803A_11	文件：614.42 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET 文件：614.42 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
52
4.5V：
87
ID @ 25°C (A)：
-5
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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更多AO4803供应商更新时间2025-10-5 10:02:00

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