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AO4425	文件：112.04 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4425usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.StandardProductAO4425isPb-free(meetsROHS&Son	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4425	文件：997.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches -NotebookPCs -DesktopPCs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4425	文件：1.69888 Mbytes Page：4 Pages	38V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4425usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected. ProductSummary VDS(V)=-38V ID=-14A	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4425	文件：1.48929 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-38V ●ID=-14A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4425	文件：173.8 Kbytes Page：4 Pages	38V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4425-HF	文件：1.46553 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-38V ●ID=-14A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4425L	文件：112.04 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4425usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.StandardProductAO4425isPb-free(meetsROHS&Son	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4425_10	文件：173.8 Kbytes Page：4 Pages	38V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4425
功能描述：
MOSFET P-CH -38V -14A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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