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AO4407A	文件：996.5 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs 文件：996.5 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4407A	文件：2.12579 Mbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description The AO4407A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. * RoHS and Halogen-Free Complaint Product Summary VDS = -30V ID = 文件：2.12579 Mbytes 页数：5 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4407A	文件：1.49511 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=-30V,ID=-15A,RDS(ON) 文件：1.49511 Mbytes 页数：7 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4407A	文件：790.77 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AO4407；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Product Summary VDS -30V ID (at VGS=-10V) -14A RDS(ON) (at VGS=-10V) 文件：790.77 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4407A	文件：518.47 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AO4407；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant 文件：518.47 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4407A	文件：131.39 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4407A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4407A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specification 文件：131.39 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4407A	文件：1.67568 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-12 A (VGS =-20V) ● RDS(ON) 文件：1.67568 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4407A	文件：192.2 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：192.2 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4407A-HF	文件：1.88176 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-12 A (VGS =-20V) ● RDS(ON) 文件：1.88176 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4407A_10	文件：192.2 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：192.2 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
25
10V：
13
6V：
17
ID @ 25°C (A)：
-12
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (10V)(nC)：
30
VGS(th) max (V)：
-3
Ciss (pF)：
2060
Coss (pF)：
370
Crss (pF)：
295
Qgd (nC)：
10
tD(on) (ns)：
11
tD(off) (ns)：
24
Trr (ns)：
30
Qrr (nC)：
22
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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