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AO4407A中文资料杜因特数据手册PDF规格书

AO4407A
厂商型号

AO4407A

功能描述

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件大小

1.49511 Mbytes

页面数量

7

生产厂商 SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD
企业简称

DOINGTER杜因特

中文名称

深圳市杜因特半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-27 18:25:00

AO4407A规格书详情

Description:

This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Features:

1) VDS=-30V,ID=-15A,RDS(ON)<11mΩ @VGS=-20V

2) Low gate charge.

3) Green device available.

4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).

5) Excellent package for good heat dissipation.

产品属性

  • 型号:

    AO4407A

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -30V -12A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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