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AO4405L	文件：114.16 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4405 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO4405L( Green Product ) is offered in a lead-free package. Features VDS (V) = -30V ID = -6.0A RDS(O 文件：114.16 Kbytes 页数：4 Pages	ALPHA	ALPHA
AO4405E	文件：398.5 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：398.5 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4405E	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺技术用于生产P 沟道功率 MOSFET，其具有卓越的鲁棒性，是负载切换、电池保护和电机驱动的理想选择。	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
50
4.5V：
85
ID @ 25°C (A)：
-6
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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