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AO3442	文件：500.2 Kbytes Page：5 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description The AO3442 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. Product Summary 文件：500.2 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3442	文件：2.16468 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 100V ● ID = 1 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.16468 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3442	文件：1.08646 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.08646 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO3442	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 100V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO3442A	文件：443.86 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel MOSFET Product Summary VDS 100V ID (at VGS=10V) 1A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：443.86 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3442A	文件：537.37 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description The AO3442 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. Product Summ 文件：537.37 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO3442-HF	文件：2.51847 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 100V ● ID = 1 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.51847 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3442-3	文件：2.30821 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET 文件：2.30821 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3442-HF-3	文件：2.54717 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET 文件：2.54717 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3442A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS（场效应管）	UMW 友台半导体	UMW

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
100
VGS (±V)：
20
10V：
630
4.5V：
720
ID @ 25°C (A)：
1
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (10V)(nC)：
2.80
Qg (4.5V)(nC)：
1.50
VGS(th) max (V)：
2.90
Ciss (pF)：
100
Coss (pF)：
13
Crss (pF)：
5
Qgd (nC)：
0.80
tD(on) (ns)：
5
tD(off) (ns)：
12
Trr (ns)：
52
Qrr (nC)：
60
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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