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AO3401L3-6AF	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23-3L -30V P-Channel MOSFET 类型: 1个P沟道\n漏源电压(Vdss): 30V\n连续漏极电流(Id): 4.2A	FOSAN 富信半导体	FOSAN
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技术参数

漏源电压(Vdss)：
-30V
连续漏极电流(Id)：
-4.4A
耗散功率(Pd)：
1.2W
导通电阻(RDS(on))：
52mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))：
-0.9V
输入电容(Ciss@Vds)：
1040pF
工作温度：
-50℃~+150℃
配置：
沟槽

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市湘达电子科技有限公司	AO3401MOS(场效应管)	AOS/万代	2022+	SOT23-3	8000	只做原装支持实单,有单必成。	询价
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更多AO3401L3-6AF供应商更新时间2025-11-20 11:00:00

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