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FDC2612	文件：1.11279 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET200V,1.5A,0.7 Features Vbs=200V b=1.5A Roson)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDD2612	文件：110.96 Kbytes Page：5 Pages	200VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •4.9A,2	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD2612	文件：298.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=720mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD2612	文件：752.93 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=200V,ID=8A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD2612-TP	文件：989.21 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET200V,6.0A,0.65Q Features ©Vos=200v +o=60A +Rosin50650@Ves=10V.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
FTK2612AD	文件：1.13484 Mbytes Page：5 Pages	20VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GKN2612	文件：589.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GKN2612	文件：602.86 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GKR2612	文件：589.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GKR2612	文件：603.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	AN2612A-PR	XX	23+	BGA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	AN26122A-NB	PAN	23+	SMD	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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