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BA682	文件：62.45 Kbytes Page：3 Pages	BandSwitchingDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BA682	文件：82.31 Kbytes Page：5 Pages	BandSwitchingDiodes FEATURES •Siliconplanardiodes •Lowdynamicforwardresistance •Lowdiodecapacitance •Highreverseimpedance •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC APPLICATIONS •BandswitchinginVHF-tuners	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BA682	文件：228.28 Kbytes Page：3 Pages	BandSwitchingDiodes FEATURES •Siliconplanardiodes •Lowdynamicforwardresistance •Lowdiodecapacitance •Highreverseimpedance •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •BandswitchinginVHF-tuners	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BA682A	文件：85.5 Kbytes Page：5 Pages	LEDlevelmeterdriver,12-point,VUscale,dotorbardisplay TheBA682AisamonolithicICforLEDlevelmeterapplications. Thedisplaylevelrangeis13mVrmsto327mVrms(Typ.),the0dBlevelis130mVrms(Typ.)andtheVUdisplayis-20dBto+8dB. TheconstantcurrentoutputscanbesetusingexternalcomponentsallowinguseofdifferentcolorLEDsinv	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD682	文件：110.03 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPDarlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneral–purposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD676,676A,678,678A,680,680A,682arecomplementarywithBD	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD682	文件：42.13 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •MediumPowerDarlingtonTR •ComplementtoBD675A,BD677A,BD679AandBD681respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD682	文件：252.33 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD682	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerSiliconPNPDarlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicCons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD682	文件：55.2 Kbytes Page：3 Pages	PNPDARLIGNTONPOWERSILICONTRANSISTORS PNPDARLIGNTONPOWERSILICONTRANSISTORS ForUseAsOutputDevicesInComplementaryGeneralPurposeAmplifierApplications. COMPLEMENTARYTOBD675,675A,677,677A,679,679A,681&683BD678,678A,680,680AAREEQUIVALENTTOMJE700,702,703.	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
BD682	文件：382.94 Kbytes Page：12 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
AN-682
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
Terminating F100K ECL Inputs

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