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HSMS-2803	文件：196.56 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HV2803	文件：1.0148 Mbytes Page：32 Pages	NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch Features •32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch •NoHigh-VoltageSuppliesRequired •32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching •3.3VCMOSInputLogicLevel •66MHzDataShiftClockFrequency •Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
HV2803/AHA	文件：1.0148 Mbytes Page：32 Pages	NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch Features •32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch •NoHigh-VoltageSuppliesRequired •32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching •3.3VCMOSInputLogicLevel •66MHzDataShiftClockFrequency •Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
HV2803SLASHAHA	文件：1.0148 Mbytes Page：32 Pages	NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch Features •32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch •NoHigh-VoltageSuppliesRequired •32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching •3.3VCMOSInputLogicLevel •66MHzDataShiftClockFrequency •Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
IRLML2803	文件：81.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803	文件：191.69 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.25ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803	文件：449.62 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnologyUltraLowOn-Resistance Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRLML2803	文件：377.58 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRLML2803GPBF	文件：247.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
AN-2803-A
制造商：
Bud Industries
类别：
盒子，外壳，机架 > 箱
系列：
AN-A
包装：
袋
容器类型：
盒
大小 / 尺寸：
4.545" 长 x 2.578" 宽（115.44mm x 65.48mm）
高度：
2.165"（55.00mm）
面积 (L x W)：
11.7in²（75cm²）
设计：
包含盖
材料：
金属 - 铝
颜色：
天然
厚度：
0.130"（3.30mm）
特性：
卡导槽，安装法兰，PCB 支架，防水
等级：
IP68，NEMA 4X，6，6P，12，13
描述：
BOX ALUM NAT 4.545\

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市易讯博科技有限公司	AN-2803-A	Bud	22+	NA	1	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
上海金庆电子技术有限公司	AN-2803-B	BudIndustries	新		32	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	AN-2803-B	Bud Industries	2022+		28	全新原装货期两周	询价
深圳市一线半导体有限公司	AN281	A	24+	DIP-16	11		询价
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