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AO3420	文件：187.81 Kbytes Page：4 Pages	丝印：AN**；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch. Standard Product 文件：187.81 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3420	文件：233.93 Kbytes Page：5 Pages	丝印：AN**；Package：SOT-23；20V N-Channel MOSFET 文件：233.93 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AN**
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多AN**供应商更新时间2025-8-8 10:03:00

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