Low Noise, Precision Instrumentation Amplifier

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亚德诺

SEMICONDUCTORS

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未分类制造商

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低噪声、精密仪表放大器

AMP011是一款单芯片仪表放大器，针对高精度数据采集和仪表应用而设计。其设计有机地结合了仪表放大器的常规功能与高电流输出级。在高电容负载(1 μF)下，输出仍保持稳定，这是仪表放大器一种独特的能力。由此，AMP01可以放大低电平信号，通过较长的电缆而无需输出缓冲。输出级可以配置为电压或电流发生器。\n\n 输入失调电压极低(20 μV)，从而消除了外部零值电位计的必要。温度变化对失调电压的影响极小；TCVIOS典型值为0.15 μV/°C。它可以实现出色的低频噪声性能，对输入保护的影响极小。偏置电流非常低，在军用温度范围内不到10 nA。可以同时实现130 dB的高共模抑制，16位 • 低失调电压：50 µV（最大值）\n\n• 极低失调电压漂移：0.3 µV/°C（最大值）\n\n• 低噪声：0.12 µV峰峰（0.1 Hz至10 Hz）\n\n• 优秀的输出驱动：±10 V（±50 mA）\n\n• 容性负载稳定性：达1 µF\n\n• 增益范围：0.1至10,000\n\n• 出色的线性度：16位（G = 1000）\n\n• 高共模抑制：125 dB（最小值）(G = 1000)\n\n• 低偏置电流：4 nA（最大值）\n\n• 可以配置为精密运算放大器\n\n• 输出级热关断\n\n• 提供裸片形式;

ADI

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分立式半导体 肖特基势垒二极管（SBD）

Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between semiconductor materials and metal electrodes, e.g., Schottky barrier. They have lower forward voltage (VF) characteristics and shorter reverse recovery time (trr) than typical PN junction diodes, making

Kyocera

京瓷

分立式半导体 肖特基势垒二极管（SBD）

Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between semiconductor materials and metal electrodes, e.g., Schottky barrier. They have lower forward voltage (VF) characteristics and shorter reverse recovery time (trr) than typical PN junction diodes, making

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