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AMP01EA06

分立式半导体 肖特基势垒二极管(SBD)

Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between semiconductor materials and metal electrodes, e.g., Schottky barrier. They have lower forward voltage (VF) characteristics and shorter reverse recovery time (trr) than typical PN junction diodes, making

Kyocera

京瓷

AMP02FPZ

PDIP-8

ADI

AMP03G

SOP8

TMP

AMP03GSZ

BGA

ADI(亚德诺)

AMP05FX

DIP

技术参数

  • AEC-Q:

    AEC-Q101

  • Outline:

    SOD-123FL

  • VRRM [V]:

    60V

  • Io [A]:

    1.0A

  • IFSM [A]:

    18.0A

  • IR [mA]:

    0.100mA

  • VFM [V]:

    0.60V

  • @IFM [A]:

    1.0A

  • 工作温度范围:

    -55℃ ~ 150℃

  • Rth(j-c) [°C/W]:

    25 (j-l)°C/W

  • Connection type:

    A

  • 包装形式:

    Reel

  • 每包数量:

    3000

  • 质量:

    0.012g

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更多AMP01EA06供应商 更新时间2026-4-24 14:03:00