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CC3301MOD	文件：806.2 Kbytes Page：13 Pages	CC330xMODSimpleLink™Wi-Fi6andBluetooth®LowEnergyCompanionModule 1Features KeyFeatures •Wi-Fi6(802.11ax) •Bluetooth®LowEnergy5.4inCC33x1MOD •CompanionmoduletoanyprocessororMCUhost capableofrunningaTCP/IPstack •Integrated2.4GHzPAforcompletewireless systemwithupto+18dBmoutputpower •Operatingtemperature:–40°Cto+85°C	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CC3301MODENIAMOZR	文件：806.2 Kbytes Page：13 Pages	CC330xMODSimpleLink™Wi-Fi6andBluetooth®LowEnergyCompanionModule 1Features KeyFeatures •Wi-Fi6(802.11ax) •Bluetooth®LowEnergy5.4inCC33x1MOD •CompanionmoduletoanyprocessororMCUhost capableofrunningaTCP/IPstack •Integrated2.4GHzPAforcompletewireless systemwithupto+18dBmoutputpower •Operatingtemperature:–40°Cto+85°C	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CED3301	文件：425.26 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-28A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=50mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED3301	文件：642.57 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-28A,RDS(ON)=32mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=50mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3301	文件：424.59 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-7.0A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=50mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM3301	文件：1.24862 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEM3301	文件：618.99 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-7.0A,RDS(ON)=32mW@VGS=-10V. RDS(ON)=50mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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