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BD136G	文件：42.46 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD136G	文件：86.87 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD136-TU	文件：1.28503 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCurrent ComplementToBD135,BD137AndBD139	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BFP136	文件：60.58 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems) NPNSiliconRFTransistor •ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems •fT=5.5GHz •Goldmetalizationforhighreliability	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP136	文件：79.18 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ●ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems ●fT=5.5GHz ●Goldmetalizationforhighreliability	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP136W	文件：60.58 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems) NPNSiliconRFTransistor •ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems •fT=5.5GHz •Goldmetalizationforhighreliability	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP136W	文件：79.18 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ●ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems ●fT=5.5GHz ●Goldmetalizationforhighreliability	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFQ136	文件：73.48 Kbytes Page：9 Pages	NPN4GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinafour-leaddual-emitterSOT122Aenvelopewithaceramiccap.Allleadsareisolatedfromthestud.Diffusedemitter-ballastingresistorsandtheapplicationofgoldsandwich metallizationensureanoptimumtemperatureprofileandexcellentreliabilitypropertie	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGY136	文件：106.46 Kbytes Page：10 Pages	VHFpoweramplifiermodules DESCRIPTION TheBGY135andBGY136aretwo-stagebroadbandRFamplifiermodulesinaSOT132Bpackage.EachmoduleconsistsoftwoNPNtransistordiestogetherwithlumped-elementmatchingcomponents. FEATURES •12.5Vnominalsupplyvoltage •18Woutputpower. APPLICATIONS •Mobilecommunica	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BL-HA136A	文件：260.61 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTCHIPLEDLAMPS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE

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详细参数

型号：
AMC-136
制造商：
MA-COM
制造商全称：
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
功能描述：
High Performance Amplifier, 20 dB Gain, 10 - 200 MHz

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更多AMC-136供应商更新时间2025-5-28 14:32:00

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