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AMBTA92Q	文件：370.52 Kbytes Page：5 Pages	300V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 Features  BVCEO > -300V  Ideal for Medium Power Amplification and Switching  Complementary NPN Type: MMBTA42Q  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  PPAP Capabl 文件：370.52 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
AMBTA92Q-7	文件：370.52 Kbytes Page：5 Pages	丝印：2G2；Package：SOT23；300V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 Features  BVCEO > -300V  Ideal for Medium Power Amplification and Switching  Complementary NPN Type: MMBTA42Q  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  PPAP Capabl 文件：370.52 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
AMBTA92Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. • BVCEO > -300V\n• Complementary NPN Type: MMBTA42Q\n• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n• PPAP Capable (Note 4);	Diodes 美台半导体	Diodes
AMBTA92Q-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 300V 0.5A SOT23-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Product Type：
PNP
IC：
0.5 A
ICM：
N/A A
PD：
0.3 W
hFE：
40 Min
hFE (@ IC)：
0.01 A
hFE (Min 2)：
25
hFE (@ IC2)：
0.03 A
VCE (SAT) Max：
500 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.02/2
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)：
N/A
fT (MHz)：
50
VCE (SAT) (Max.2)：
N/A mV
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT23

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更多AMBTA92Q供应商更新时间2026-1-27 16:01:00

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