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IRF9140	文件：22.16 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •HERMETICALLYSEALEDTO–3METALPACKAGE •SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS •SCREENINGOPTIONSAVAILABLE	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9140	文件：148.2 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSP-CHANNEL(Vdss=-100V,Rds(on)=0.2ohm,Id=-18A) ProductSummary TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreve	IRF International Rectifier	IRF
IRF9140	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9140	文件：59.31 Kbytes Page：7 Pages	-19A,-100V,0.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFET -19A,-100V,0.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFET TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Allofthesepow	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9140	文件：152.35 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRF9140	文件：290.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9140	文件：309.4 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
AM9140C-DMC
制造商：
AMD
功能描述：
9140N

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