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AM4966N	文件：419.94 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
LC4966	文件：90.54 Kbytes Page：6 Pages	QuadBilateralSwitch Overview TheLC4966isanICthatprovidesthesamefunctionsastheMLC4066BandtheMLC4066BHoveranexpanded usablevoltagerange.TheLC4966providesfourbidirectionalswitchcircuits.Thesecircuitsformalowimpedanceconductingpathbetweentheinputandoutputsideswhenthecorre	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NTE4966	文件：26.04 Kbytes Page：2 Pages	SurgeClamping,TransientOvervoltageSuppressorUnidirectional Description: TheNTE4900seriesofsiliconTransientSuppressorsdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighenergyvoltagetransients.Transientovervoltagesuppressordeviceshavebecomeveryimportantasaconsequenceoftheirhighsurgecapability,extremelyfastresponsetime	NTE NTE Electronics	NTE
PE4966	文件：228.27 Kbytes Page：2 Pages	CFemaleBulkheadConnectorClamp-SolderAttachmentForRG59,RG62,.720inchDHole	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
SI4966DY	文件：180.14 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC OrderingInformation:Si4966DY-T1-E3(Lead(Pb)-free) Si4966DY-T1-GE3(Lead(Pb)-freeandHalogen-free)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4966DY	文件：52.79 Kbytes Page：4 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SZN4966	文件：204.54 Kbytes Page：3 Pages	5W6.8??390VOLTSZENERDIODES	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SZN4966	文件：204.54 Kbytes Page：3 Pages	6.8??390VOLTSZENERDIODES FEATURES: •HermeticallyGlassSealed •HighPowerDissipation5W •TightVoltageTolerance5 •ForotherVoltage,Power,orToleranceConsultFactory. •TX,TXV,andS-LevelScreeningAvailable5/. •Replacementfor1N4954–1N4996	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
TLE4966G	文件：1.19444 Mbytes Page：17 Pages	HighPrecisionHall-EffectSwitchwithDirectionDetection Features •2.7Vto24Vsupplyvoltageoperation •Operationfromunregulatedpowersupply •Highsensitivityandhighstability ofthemagneticswitchingpoints •Highresistancetomechanicalstress byActiveErrorCompensation •Reversebatteryprotection(-18V) •Superiortemperaturestabi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TLE4966H	文件：180.51 Kbytes Page：11 Pages	HighPrecisionHall-EffectSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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