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PE4966	文件：228.27 Kbytes Page：2 Pages	C Female Bulkhead Connector Clamp-Solder Attachment For RG59, RG62, .720 inch D Hole	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
SI4966DY	文件：180.14 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC OrderingInformation:Si4966DY-T1-E3(Lead(Pb)-free) Si4966DY-T1-GE3(Lead(Pb)-freeandHalogen-free)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4966DY	文件：52.79 Kbytes Page：4 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SZN4966	文件：204.54 Kbytes Page：3 Pages	5W6.8??390VOLTSZENERDIODES	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SZN4966	文件：204.54 Kbytes Page：3 Pages	6.8??390VOLTSZENERDIODES FEATURES: •HermeticallyGlassSealed •HighPowerDissipation5W •TightVoltageTolerance5 •ForotherVoltage,Power,orToleranceConsultFactory. •TX,TXV,andS-LevelScreeningAvailable5/. •Replacementfor1N4954–1N4996	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
TLE4966G	文件：1.19444 Mbytes Page：17 Pages	HighPrecisionHall-EffectSwitchwithDirectionDetection Features •2.7Vto24Vsupplyvoltageoperation •Operationfromunregulatedpowersupply •Highsensitivityandhighstability ofthemagneticswitchingpoints •Highresistancetomechanicalstress byActiveErrorCompensation •Reversebatteryprotection(-18V) •Superiortemperaturestabi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TLE4966H	文件：180.51 Kbytes Page：11 Pages	HighPrecisionHall-EffectSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TLE4966K	文件：871.12 Kbytes Page：16 Pages	HighPrecisionHall-EffectSwitchwithDirectionDetection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TLE4966L	文件：854.08 Kbytes Page：16 Pages	HighPrecisionHall-EffectSwitchwithDirectionDetection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TLE4966L	文件：170.7 Kbytes Page：11 Pages	HighPrecisionHall-EffectSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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更多PE4966供应商更新时间2025-7-29 10:03:00

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