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AM3407	文件：698.83 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The AM3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The AM3407 is available in SOT-23 package. FEATURES  VDS = -30V,ID = 文件：698.83 Kbytes 页数：9 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3407	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23/SOT-23S 晶體管	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi
AM3407A	文件：563.87 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET -30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION VDS= -30V VGS= ±20V ID(A)= -4.3A RDS(ON)=38mΩ(Typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=58mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V The AM3407A is available in SOT-23 package. FEATURES ⚫ Available in SOT-23 p ackage APPLICATION ⚫ Portable Equipment ⚫ Power Management ⚫ Load Switch 文件：563.87 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3407AE3R	文件：563.87 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET -30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION VDS= -30V VGS= ±20V ID(A)= -4.3A RDS(ON)=38mΩ(Typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=58mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V The AM3407A is available in SOT-23 package. FEATURES ⚫ Available in SOT-23 p ackage APPLICATION ⚫ Portable Equipment ⚫ Power Management ⚫ Load Switch 文件：563.87 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3407AE3VR	文件：563.87 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET -30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION VDS= -30V VGS= ±20V ID(A)= -4.3A RDS(ON)=38mΩ(Typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=58mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V The AM3407A is available in SOT-23 package. FEATURES ⚫ Available in SOT-23 p ackage APPLICATION ⚫ Portable Equipment ⚫ Power Management ⚫ Load Switch 文件：563.87 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3407E3R	文件：698.83 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The AM3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The AM3407 is available in SOT-23 package. FEATURES  VDS = -30V,ID = 文件：698.83 Kbytes 页数：9 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3407E3VR	文件：698.83 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The AM3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The AM3407 is available in SOT-23 package. FEATURES  VDS = -30V,ID = 文件：698.83 Kbytes 页数：9 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3407PE	文件：525.02 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：525.02 Kbytes 页数：5 Pages	AnalogPower	AnalogPower
AM3407PE-T1-PF	文件：1.8482 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.8482 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AM3407PE	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	AnalogPower 美商亚柏	AnalogPower

技术参数

漏击穿电压(V)：
-30
栅级电压 (V)：
±20
连续漏电流(A)(25°C)：
-4.3
阈值电压(V) 最小值/最大值：
-1.0/-2.0
RDS(ON) Vgs=±10V(mΩ) 型：
44
Vgs=±4.5V(mΩ) 型：
70
应用：
Networking
交叉参考：
AO3407

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深圳市博中泰实业有限公司	AM3407	AIT-IC	24+	SOT-23L	60000	全新原装现货	询价
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