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AM2306	文件：703.12 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The AM2306 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch and PWM applications. The AM2306 is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = 30V,ID = 5.8A RDS(ON) 文件：703.12 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM2306	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23/SOT-23S 晶體管	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi
AM2306	文件：300 bytes Page：1 Pages	温湿度传感器防雨淋探头	ASAIR 奥松电子	ASAIR
AM2306E3SR	文件：703.12 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The AM2306 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch and PWM applications. The AM2306 is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = 30V,ID = 5.8A RDS(ON) 文件：703.12 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM2306E3SVR	文件：703.12 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The AM2306 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch and PWM applications. The AM2306 is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = 30V,ID = 5.8A RDS(ON) 文件：703.12 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM2306N	文件：193.95 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：193.95 Kbytes 页数：6 Pages	ANALOGPOWER	ANALOGPOWER
AM2306NE	文件：214.09 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：214.09 Kbytes 页数：5 Pages	ANALOGPOWER	ANALOGPOWER
AM2306NE	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	AnalogPower 美商亚柏	AnalogPower

技术参数

测量范围(温度)：
-40~+80℃
测量范围(湿度)：
0~99.9%RH
温度精度：
±0.3℃
湿度精度：
±2%RH
分辨率：
温度：0.1℃湿度：0.1%RH
衰减值(温度)：
<0.1℃/年
衰减值(湿度)：
<0.5%RH/年
传感器：
电容式湿度传感器
输出信号：
单总线数字信号
外壳材料：
PC塑料
重量：
438.9g

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更多AM2306供应商更新时间2026-1-19 9:04:00

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