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ALD110904SAL	文件：108.21 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD PRECISION MATCHED PAIR MOSFET ARRAY	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD110904SAL	文件：111.51 Kbytes Page：12 Pages	QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD110904SAL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfet Arrays	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD110904	文件：108.21 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEEPADPRECISIONMATCHEDPAIRMOSFETARRAY	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD110904	文件：42.02 Kbytes Page：2 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEEPADMATCHEDPAIRMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION ALD110804/ALD110904arehighprecisionmonolithicquad/dualenhancementmodeN-ChannelMOSFETSmatchedatthefactoryusingALD’sprovenEPAD®CMOStechnology.Thesedevicesareintendedforlowvoltage,smallsignalapplications. FEATURES •Enhancement-mode(normallyoff)	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD110904	文件：111.51 Kbytes Page：12 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEEPAD	ALD Advanced Linear Devices	ALD

技术参数

Mode：
Precision Enhancement Mode
Dual Quad：
Dual
Package Type：
SOIC8
Threshold Voltage (typ) (V)：
0.4
Threshold Voltage Tolerance (+/-) (V)：
0.02
Offset Voltage (Max) (mV)：
10
Drain On Current (Typ) (mA)：
3
Gate Input Leakage Current (Max) (pA)：
30
Drain Source On Resistance (Max) (Ohm)：
500
Drain Source Leakage Current (Max) (nA)：
0.4
Drain Source On Resistance Mismatch (typ) (%)：
0.5
Drain Source Break-down Voltage (Min) (V)：
10
Other Features：
Nanopower
Temp Range (degC)：
0 to +70

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ALD110904SAL供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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