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BLF888BS	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	ETC	ETC
BLF888BS	文件：1.87329 Mbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A650WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrial applications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalog transmitterapplications. Featuresandbenefits Excellentruggedness Optimumthermalbeh	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLF888D	文件：1.07778 Mbytes Page：12 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcastDohertytransmitterapplications.The excellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalogtransmitter applications. Featuresandbenefits Highefficiency Highpowergain Excellentruggedness(VSW	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLF888DS	文件：1.07778 Mbytes Page：12 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcastDohertytransmitterapplications.The excellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalogtransmitter applications. Featuresandbenefits Highefficiency Highpowergain Excellentruggedness(VSW	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLF888E	文件：1.40887 Mbytes Page：13 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A750WLDMOSRFpowertransistorforasymmetricalbroadcastDohertytransmitter applicationswhichoperatesat150WDVB-Taveragepower.Theexcellentruggednessof thisdevicemakesitidealfordigitalandanalogtransmitterapplications. Featuresandbenefits Design	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLF888ES	文件：1.40887 Mbytes Page：13 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A750WLDMOSRFpowertransistorforasymmetricalbroadcastDohertytransmitter applicationswhichoperatesat150WDVB-Taveragepower.Theexcellentruggednessof thisdevicemakesitidealfordigitalandanalogtransmitterapplications. Featuresandbenefits Design	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
CGD888C	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	ETC	ETC
CGY888C	文件：58.16 Kbytes Page：7 Pages	34dB,870MHzGaAspush-pullforwardamplifier	ETC	ETC
CGY888C	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	ETC	ETC
COP888CF	文件：572.62 Kbytes Page：44 Pages	8-BitCMOSROMBasedMicrocontrollerswith4kMemoryandA/DConverter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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