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BAY135	文件：113.11 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiode,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAY135	文件：371.15 Kbytes Page：2 Pages	200mAAxialLeadedSmallSignalSwitchingDiodes Features ●SiliconPlanarDiode ●Verylowreversecurrent ●Lead(Pb)-freecomponent ●ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BAY135	文件：77.21 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiode,HighVoltage FEATURES •Siliconplanardiode •Verylowreversecurrent •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Protectioncircuits,delaycircuits	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAY135-TAP	文件：113.11 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiode,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAY135-TR	文件：113.11 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiode,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BB135	文件：38.03 Kbytes Page：2 Pages	UHFVariableCapacitanceDiode DESCRIPTION TheBB135isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Thematchedtype,BB134hasthesamespecification. FEATURES •Excellentlinearity •VerysmallplasticSMDpackage. •C28:1.9pF;ratio:10	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BB135	文件：53.78 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB135isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Thematchedtype,BB134hasthesamespecification. FEATURES •Excellentlinearity •VerysmallplasticSMDpackage. •C28:1.9pF;ratio:10	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCR135	文件：51.02 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR135	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR135	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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