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AOI4C60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

AOI4C60

TO251PACKAGEMARKINGDESCRIPTION

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOI4C60L

TO251PACKAGEMARKINGDESCRIPTION

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

PS-D4C60

RECEPTACLEHOUSING

JAEJapan Aviation Electronics Industry, Ltd.

航空电子日本航空电子工业株式会社

SCD4C60S

SiliconControlledRectifiers

semiWell

SemiWell Semiconductor

SCH4C60S

SiliconControlledRectifiers

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

SCU4C60S

SiliconControlledRectifiers

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

SMF4C60CAH

Highpowerdensity400WTVS

ZOWIEZowie Technology Corporation

智威智威科技股份有限公司

STGIPQ4C60T-HL

SLLIMMnano-2ndseriesIPM,3-phaseinverter,6A,600Vshort‑circuitruggedIGBT

Features •IPM6A,600V,3-phaseIGBTinverterbridgeincluding3controlICsforgate drivingandfreewheelingdiodes •3.3V,5V,15VTTL/CMOSinputcomparatorswithhysteresisandpull-down/ pull-upresistors •Internalbootstrapdiode •Optimizedforlowelectromagneticinterference

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STGIPQ4C60T-HZ

SLLIMMnano-2ndseriesIPM,3-phaseinverter,6A,600Vshort?멵ircuitruggedIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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LEFTA1253
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更多AIS4C60供应商 更新时间2025-7-25 15:59:00