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AOW20C60	文件：314.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSA20C60PN	文件：97.51 Kbytes Page：4 Pages	HighPerformanceSchottkyDiodeLowLossandSoftRecoveryCommonCathode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSB20C60PN	文件：97.25 Kbytes Page：4 Pages	HighPerformanceSchottkyDiodeLowLossandSoftRecoveryCommonCathode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
F20C60A	文件：605.88 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereDualCommonAnodeFastRecoveryRectifierDiode	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
F20C60A	文件：760.47 Kbytes Page：2 Pages	20AmpereHeatSinkDualCommonAnodeFastRecoveryHalfRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
F20C60C	文件：761.25 Kbytes Page：2 Pages	20AmpereHeatSinkDualCommonCathodeFastRecoveryHalfRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
F20C60D	文件：760.5 Kbytes Page：2 Pages	20AmpereHeatSinkDualDoublerPolarityFastRecoveryHalfRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
F20C60S	文件：760.53 Kbytes Page：2 Pages	20AmpereHeatSinkDualSeriesConnectionFastRecoveryHalfRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
FS20C60CT	文件：308.93 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereSurfaceMountDualCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
HCP20C60	文件：179.25 Kbytes Page：3 Pages	SiliconControlledRectifier	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan

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