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AIMZH120R030M1T中文资料汽车级 1200V 碳化硅 (SiC) 沟槽功率 MOSFET，采用 TO247-4L（细引线），30mΩ数据手册Infineon规格书
AIMZH120R030M1T规格书详情
描述 Description
凭借英飞凌性能优化的芯片技术 (Gen1p)，SiC Mosfet 具有一流的开关性能、抗寄生导通的稳健性以及改进的 RDSon 和 Rth(jc)。高功率密度、卓越的效率、双向充电功能以及显著降低的系统成本使其成为车载充电器和 DCDC 应用的理想选择。
特性 Features
• 极低的开关损耗
• 开启电压增加 VGS(on)= 20 V
• 一流的开关能量
• 最低的设备电容
• 低 Crss/Ciss 比和高 VGS(th) 可避免寄生开启
• 降低总栅极电荷 QGtot，从而降低驱动功率和损耗
• .XT 芯片贴装技术，实现一流的热性能
• 用于优化开关性能的感测引脚
• 适合高压爬电要求
• 更细的引脚可降低焊桥风险
技术参数
- 制造商编号
：AIMZH120R030M1T
- 生产厂家
：Infineon
- RDS (on)(@ Tj = 25°C)
：30 mΩ
- VDSmax
：1200 V
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Technology
：CoolSiC™ G1
- Launch year
：2023
- Polarity
：N
- Currently planned availability until at least
：2033
- Qualification
：Automotive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SHA |
05+ |
原厂原装 |
551 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
N/A |
22+ |
NA |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
询价 | ||
OAKTREE |
06+ |
SOP16 |
1000 |
普通 |
询价 | ||
AI-LINK |
23+ |
SMD |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-4 |
5000 |
原装现货 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO247-4 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
Phoenix/菲尼克斯 |
23/24+ |
1411268 |
4886 |
优势特价 原装正品 全产品线技术支持 |
询价 | ||
SHA |
24+ |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
MSOP10 |
6698 |
询价 |
