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AFP02N8-000	文件：23.88 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose PHEMT Chip Description TheAFP02N8-000generalpurposePHEMTchiphasexcellentgainandnoiseperformancethroughXband,makingitsuitableforawiderangeofcommercialandmilitaryapplications.Thedeviceemploys0.7µmTi/Pd/Augatesandsurfacepassivationtoensurearugged,reliablepart. Features	ALPHA Alpha Industries	ALPHA
AFP02N8-212	文件：30.33 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Packaged PHEMT Chips Description TheAFP02N8-212,213aregeneralpurposepackagedPHEMTchipsthathaveexcellentgainandnoiseperformancethroughXband,makingthemsuitableforawiderangeofcommercialapplications.Thedevicesemploy0.7µmTi/Pd/Augatesandsurfacepassivationtoensurearugged,reliable	ALPHA Alpha Industries	ALPHA
AFP02N8-213	文件：30.33 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Packaged PHEMT Chips Description TheAFP02N8-212,213aregeneralpurposepackagedPHEMTchipsthathaveexcellentgainandnoiseperformancethroughXband,makingthemsuitableforawiderangeofcommercialapplications.Thedevicesemploy0.7µmTi/Pd/Augatesandsurfacepassivationtoensurearugged,reliable	ALPHA Alpha Industries	ALPHA
AFP2319AS23RG	文件：808.48 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AFP5D06K060Q5	文件：1.72517 Mbytes Page：15 Pages	Dual-In-Line Package Intelligent Power Module Features ULRecognized: 600V-6A(TrenchShieldedPlanarGateIGBT) FullbridgeInvertermoduleincludingHVICdrivers Built-inbootstrapdiodeswithintegratedcurrent-limitingresistor Controlsupplyunder-voltagelockoutprotection(UVLO) Over-temperature(OT)protectionandte	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AFP5D06K060Q5S	文件：1.72517 Mbytes Page：15 Pages	Dual-In-Line Package Intelligent Power Module Features ULRecognized: 600V-6A(TrenchShieldedPlanarGateIGBT) FullbridgeInvertermoduleincludingHVICdrivers Built-inbootstrapdiodeswithintegratedcurrent-limitingresistor Controlsupplyunder-voltagelockoutprotection(UVLO) Over-temperature(OT)protectionandte	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AFP2307AS23RG	文件：1.02372 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AFP4435S8RG	文件：1.00275 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AFP4435SS8RG	文件：1.00273 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AFP4435WS8RG	文件：1.00269 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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