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AFGHL40T120RHD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：1200V/40A FSII IGBT TO247 AUTOMO	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL40T120RWD	文件：231.22 Kbytes Page：9 Pages	IGBT–Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,PowerTO247-3L1200V,1.45V,40A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473−leadpackage,thisdeviceofferstheoptimum performancewithlowonstatevoltageandminimalswitchinglosses forbothhardandsoftswitchingtopologyinautomotiveapplications. Features	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL40T120RWD-STD	文件：628.68 Kbytes Page：9 Pages	IGBT–Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,TO247-3L1200V,1.67V,40A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473−leadpackage,thisdeviceoffersgood performancewithlowonstatevoltageandlowswitchinglossesfor bothhardandsoftswitchingtopologiesinautomotiveapplications. Features Extremel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL40T120RW-STD	文件：530.06 Kbytes Page：8 Pages	IGBT–Power,Single,N-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,TO247-3L1200V,1.67V,40A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyin TO2473−leadpackage,thisdeviceoffersgoodperformancewithlow onstatevoltageandlowswitchinglossesforbothhardandsoft switchingtopologiesinautomotiveapplications. Features ExtremelyEfficientTrench	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH40T120SMD	文件：524.9 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStop,Trench1200V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL40T120RWD	文件：449.43 Kbytes Page：9 Pages	IGBT–Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,TO247-3L1200V,1.5V,40A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473−leadpackage,FGHL40T120RWDoffersthe optimumperformancewithlowconductionlossesandgoodswitching controllabilityforahighefficiencyoperationinvariousapplications likemotorcontr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL40T120SWD	文件：420.37 Kbytes Page：5 Pages	FieldStopIGBT DESCRIPTION ·HighCurrentCapability ·LowSwitchingLoss ·PositiveTemperatureCoefficientforEasyParallelOperation APPLICATIONS ·BoostandInverterinSolarApplications ·TUPS ·EnergyStorageSystem	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
H40T120	文件：360.16 Kbytes Page：14 Pages	SoftSwitchingSeries •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -SoftSwitchingApplications -InductionHeating •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -easyparallelswitchi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW40T120	文件：356.88 Kbytes Page：13 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW40T120	文件：419.25 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW40T120	文件：354.32 Kbytes Page：14 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW40T120	文件：360.16 Kbytes Page：14 Pages	SoftSwitchingSeries •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -SoftSwitchingApplications -InductionHeating •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -easyparallelswitchi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40T120	文件：449.59 Kbytes Page：15 Pages	LOWLOSSDUOPACK:IGBTINTRENCHANDFIELDSTOPTECHNOLOGYWITHSOFT,FASTRECOVERYANTI-PARAALELEMCONHEDIODE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40T120	文件：516.59 Kbytes Page：16 Pages	IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
K40T120	文件：516.59 Kbytes Page：16 Pages	IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
M40T120A	文件：787.5 Kbytes Page：6 Pages	TRIACs	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
M40T120A	文件：238.57 Kbytes Page：5 Pages	TRIACs,40ASunbberless	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
M40T120A-B	文件：787.5 Kbytes Page：6 Pages	TRIACs	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
MBQ40T120FES	文件：1.31696 Mbytes Page：8 Pages	HighspeedFieldStopTrenchIGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MBQ40T120FESTH	文件：1.31696 Mbytes Page：8 Pages	HighspeedFieldStopTrenchIGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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产品属性

产品编号：
AFGHL40T120RHD
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，40A
开关能量：
3.7mJ（开），1.2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
37ns/150ns
测试条件：
600V，40A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
1200V/40A FSII IGBT TO247 AUTOMO

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更多AFGHL40T120RHD供应商更新时间2024-5-14 16:09:00

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