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ADuM130D1BRWZ-RL	文件：649.35 Kbytes Page：22 Pages	3.0 kV RMS/3.75 kV RMS Triple-Channel Digital Isolators	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADuM130D1BRWZ	文件：649.35 Kbytes Page：22 Pages	3.0kVRMS/3.75kVRMSTriple-ChannelDigitalIsolators	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADuM130D1BRZ	文件：649.35 Kbytes Page：22 Pages	3.0kVRMS/3.75kVRMSTriple-ChannelDigitalIsolators	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FRX130D1	文件：35.34 Kbytes Page：5 Pages	RadiationHardenedN-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothN-ChannelandP-Channelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutron	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL130D1	文件：45.97 Kbytes Page：8 Pages	8A,100V,0.230Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS130D1	文件：45.08 Kbytes Page：8 Pages	11A,100V,0.210Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombi	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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