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TK4A60D	文件：194.76 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.4Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=2.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK4A60DA	文件：206.39 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=1.7Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=2.2S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancement-mode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK4A60DA	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK4A60DA	文件：319.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.2Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK4A60DB	文件：281.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK4A60DB	文件：261.5 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(π-MOSⅦ) SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.6Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=2.2S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK4A60DB	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TP4A60S	文件：1.32519 Mbytes Page：5 Pages	SensitiveGateTriac	APOLLOELECTRON Apollo Electron Co., Ltd.	APOLLOELECTRON
TR4A60	文件：1.36713 Mbytes Page：6 Pages	TR4A60	APOLLOELECTRON Apollo Electron Co., Ltd.	APOLLOELECTRON
TR4A60S	文件：4.39834 Mbytes Page：6 Pages	SensitiveGateTriac GeneralDescription ThisdeviceissuitablefordirectcouplingtoTTL,HTL,CMOSandapplicationsuchasvariouslogicfunctions,lowpowerACswitchingapplications,suchasfanspeed,smalllightcontrollersandhomeapplianceequipment.ThisdevicemaysubstituteforZ0405MF,2N6075,BT134-	APOLLOELECTRON Apollo Electron Co., Ltd.	APOLLOELECTRON

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深圳市河锋鑫科技有限公司	ADT50GRTZ-REEL7	Altera	22+	SOT-23	4753	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
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博速半导体（深圳）有限公司	ADT5210	ADI/亚德诺	22+		66900	原封装	询价

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