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TK12A60W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS??

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.265Ω(typ.)byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.6mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多ADT12A60DS供应商 更新时间2025-6-13 16:04:00