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HTP12A60H	文件：407.59 Kbytes Page：6 Pages	3QuadrantsStandardTRIAC	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HTS12A60H	文件：394.71 Kbytes Page：5 Pages	3QuadrantsStandardTRIAC	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
ITK12A60U	文件：287.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ITK12A60W	文件：289.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K12A60D	文件：192.33 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.45Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=7.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K12A60D	文件：298.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K12A60U	文件：187.12 Kbytes Page：6 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(DTMOS?? SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.36Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=7.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) •Enhancement-mode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K12A60W	文件：246.65 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS?? Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.265Ω(typ.)byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.6mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
STF12A60	文件：371.9 Kbytes Page：5 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
STF12A60	文件：728.89 Kbytes Page：6 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell

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深圳市安富世纪电子有限公司	ADT12A60S	ADV	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市科翼源电子有限公司	ADT12A60S	ADV	23+	TO-220	7500	原厂原装正品	询价
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